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电子元器件详细资料 » IC[28731] » SI7900AEDN-T1-GE3
型号:SI7900AEDN-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8描述:MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C26 毫欧 @ 8.5A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222900mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs16nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装PowerPAK? 1212-8
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市瑞智芯科技有限公司李先生0755-83089975
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市易信优科技有限公司陈佳隆0755-23914006/18318877587
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
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SI7900AEDN-T1-GE3相关型号

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